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Downie RA等人:TiNIN基半固化器的增強(qiáng)熱電性能

點(diǎn)擊次數(shù):2190  更新時(shí)間:2018-10-25

【引言】

材料的熱電效率由優(yōu)值圖給出,ZT=(S2/ρκ)T,其中S是塞貝克系數(shù),ρ是電阻率,κ=κel+κlat是電子和晶格的導(dǎo)熱系數(shù)之和,T是溫度。XYZ半Heusler結(jié)構(gòu)可描述為Z的面心晶格,X占據(jù)八面體位置,Y位于四面體位置的一半。這導(dǎo)致X和Z的NaCl排列和Z的鋅礦YZ亞晶格。能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算支持Zintl型電子結(jié)構(gòu),其中X將其價(jià)電子轉(zhuǎn)移至YZ亞晶格。7對(duì)于具有18價(jià)電子的組合物,這導(dǎo)致閉合殼層電子構(gòu)型和半導(dǎo)體行為。

【成果介紹】

熱電廢熱回收可用于提高發(fā)熱過(guò)程的效率,并且對(duì)可持續(xù)能源的未來(lái)具有重要意義。 例如,熱電發(fā)電機(jī)被用于汽車,廢氣中回收熱量,并替換交流發(fā)電機(jī),從而提高燃料效率的和減少CO2排放。不幸的是,典型的熱電效率相對(duì)較低(約5%),并且該技術(shù)擁有更好的性能,應(yīng)用將會(huì)廣泛。Downie RA等人在電弧熔化TiNIN基錠中獲得了熱電系數(shù)Zt>0.5。這種較好的轉(zhuǎn)化效率是由于半Heusler結(jié)構(gòu)中過(guò)量的鎳導(dǎo)致的低晶格導(dǎo)熱系數(shù)。

圖文導(dǎo)讀

圖1:塞貝克系數(shù)(S),電阻率(ρ),總量(κ)和晶格熱導(dǎo)率的溫度依賴性(κlat=κ-LT /ρ; L = 2.4×10-8WΩK-2 )和Ti1-xZrxNiSn0.95系列的熱電品質(zhì)因數(shù)(ZT)。使用Linseis LSR-3儀器測(cè)量塞貝克系數(shù)和電阻率的溫度依賴性。

 

圖2:Rietveld符合TiNiSn0.95的Polaris中子粉末衍射數(shù)據(jù)。 頂部標(biāo)記(藍(lán)色)用于Ti5Sn3; 中間標(biāo)記(紅色)用于TiNi1.78(1)Sn; 底部標(biāo)記(黑色)用于Ti1.000(2)Ni1.058(3)Sn0.991(2)。

 

圖3: TiNi1 + ySn的晶格熱導(dǎo)率(κlat)。 y = 0點(diǎn)取自Ref。 這些線條是眼睛的指南。

【結(jié)論】

總而言之,Downie RA等人使用中子粉末衍射來(lái)證明在半赫斯勒結(jié)構(gòu)中自然形成的電弧熔化的TiNiSn基錠具有過(guò)量的Ni。 這是由在沒(méi)有中間機(jī)械均化的情況下制備的樣品中的動(dòng)力學(xué)約束(試劑的空間分離)產(chǎn)生的。 過(guò)量的Ni導(dǎo)致低導(dǎo)熱率在700K下能獲得較好的熱電品質(zhì)因數(shù)(ZT> 0.5)。

 

 

 

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