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儀器介紹 | LINSEIS導(dǎo)熱系列儀器介紹

點(diǎn)擊次數(shù):1028  更新時(shí)間:2024-02-28


 01導(dǎo)熱系數(shù)概念 

導(dǎo)熱系數(shù)是表征物質(zhì)熱傳導(dǎo)性質(zhì)的物理量,通常用k、λ或κ表示。是判斷導(dǎo)熱材料傳熱性能優(yōu)劣的重要依據(jù)。通常情況下,導(dǎo)熱系數(shù)越高,導(dǎo)熱性能越好。

 

 02 導(dǎo)熱測(cè)試方法

01穩(wěn)態(tài)法  

穩(wěn)態(tài)法就是當(dāng)待測(cè)試樣上溫度分布達(dá)到穩(wěn)定后,通過(guò)測(cè)量試樣內(nèi)的溫度梯度和穿過(guò)試樣的熱流來(lái)測(cè)出導(dǎo)熱系數(shù)。

穩(wěn)態(tài)法具有原理清晰、模型簡(jiǎn)單、可準(zhǔn)確直接地獲得熱導(dǎo)率絕對(duì)值等優(yōu)點(diǎn),常見(jiàn)方法有熱流計(jì)法、平板法、防護(hù)熱板法、軸線熱流法等。

穩(wěn)態(tài)法主要用于測(cè)量固體材料,特別是低導(dǎo)熱系數(shù)材料(如保溫材料)的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試。
02瞬態(tài)法   

瞬態(tài)法是當(dāng)被測(cè)試樣整體達(dá)到溫度均勻和恒定后,在試樣加載一個(gè)微小的溫度擾動(dòng),通過(guò)檢測(cè)此溫度擾動(dòng)波形,可以直接計(jì)算出被測(cè)試樣在此恒定溫度下的熱導(dǎo)率。

瞬態(tài)法的特點(diǎn)是測(cè)量時(shí)間短,測(cè)量范圍寬,精確性高,對(duì)環(huán)境要求低,制樣簡(jiǎn)單。常見(jiàn)方法有激光閃射法、熱帶法、熱線法、平面熱源法、探針?lè)ǖ取?/span>

瞬態(tài)法多用于研究高導(dǎo)熱材料,或在高溫條件下進(jìn)行測(cè)量。

 

03 Linseis導(dǎo)熱系列設(shè)備

01穩(wěn)態(tài)法   

HFM(熱流計(jì))

TIM-tester(材料熱阻導(dǎo)熱測(cè)試儀)
02瞬態(tài)法  

THB(瞬態(tài)熱橋法測(cè)試儀)

LFA(激光導(dǎo)熱儀

PLH(微米薄膜導(dǎo)熱儀)

TFA(薄膜物性分析儀)

TF-LFA(頻域、時(shí)域熱反射導(dǎo)熱儀)

04導(dǎo)熱儀器簡(jiǎn)介

 

HFM

原理:將樣品放置在一個(gè)冷板和熱板之間,測(cè)量二者之間的熱流。

可以快速、簡(jiǎn)單并且準(zhǔn)確的測(cè)量低導(dǎo)熱系數(shù)保溫材料和其他材料的導(dǎo)熱性能。符合ASTM E1530標(biāo)準(zhǔn)。

 

TIM-tester 

能夠測(cè)試各種界面材料(如導(dǎo)熱膠、導(dǎo)熱膏、導(dǎo)熱墊)的熱阻、接觸熱阻和導(dǎo)熱系數(shù)。適用于電子行業(yè),如電池、電子封裝等。

符合ASTM D5470-17標(biāo)準(zhǔn)。

 

THB

德國(guó)計(jì)量院與LINSEIS公司聯(lián)合研發(fā),能快速簡(jiǎn)便地測(cè)量樣品的熱導(dǎo)率、熱擴(kuò)散率和比熱。

符合ASTM D5334, ASTM D5930標(biāo)準(zhǔn),有多種傳感器可供選擇,適用于固體、液體、氣體、粉末、糊狀物等的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試。
 

LFA

原理:在一定溫度下,由激光源發(fā)射的激光均勻照射在樣品下表面,使樣品均勻加熱,通過(guò)紅外檢測(cè)器連續(xù)測(cè)量樣品背表面的溫升過(guò)程,得到溫度和時(shí)間的關(guān)系曲線,從而計(jì)算樣品的熱擴(kuò)散系數(shù)。

符合ASTM E1461, ASTM E2585,ASTM C714等標(biāo)準(zhǔn)。

 

PLH

原理:采用調(diào)制激光照射樣品,使樣品表面獲得周期加熱源。熱量被樣品吸收后傳遞到樣品背面,紅外檢測(cè)器采集樣品背表面溫度變化反饋到信號(hào)放大器,通過(guò)連續(xù)調(diào)整激光頻率,檢測(cè)溫度的相位和幅值變化,從而分析計(jì)算相位和幅值變化關(guān)系來(lái)確定樣品熱擴(kuò)散系數(shù)。

適用10-500μm厚度樣品測(cè)試,解決薄膜樣品測(cè)試難點(diǎn)。

 

   

TFA

將薄膜樣品沉積到預(yù)制芯片上,可以同時(shí)測(cè)量nm-um薄膜樣品面內(nèi)方向的導(dǎo)熱系數(shù)、電導(dǎo)率、賽貝克系數(shù)、霍爾系數(shù)等參數(shù)。


 

 TF-LFA

分析模型:TDTR(時(shí)域熱反射)技術(shù)通常建立雙溫度模型,從實(shí)驗(yàn)測(cè)量的反射率中提取出溫度變化量,從而計(jì)算得到樣品的熱導(dǎo)率。FDTR(頻域熱反射)通過(guò)調(diào)制加熱材料的泵浦光頻率、分析反射探測(cè)光的熱信號(hào),可以實(shí)現(xiàn)微納尺度下材料的快速、非接觸、無(wú)損測(cè)量。

TF-LFA主要測(cè)量nm-um薄膜材料的面間(厚度方向)導(dǎo)熱系數(shù)。

 

 

 

 

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